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标题:Infineon(IR) AIGW40N65F5XKSA1功率半导体IGBT 650V TO247-3的技术和应用介绍 Infineon(IR)的AIGW40N65F5XKSA1是一款优秀的650V 3-MOS的TO-247-3封装IGBT。这款功率半导体器件以其卓越的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据着重要的地位。 首先,AIGW40N65F5XKSA1 IGBT采用了先进的650V技术,使得其能够承受更高的电压,从而在同样的功率输出下,需要的功率器件数量更少,降低了系统的成本
标题:Infineon品牌IGB30N60TATMA1半导体IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2的技术和方案介绍 Infineon品牌IGB30N60TATMA1半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的功率半导体器件,具有600V、60A和187W的额定参数。该器件采用TO263-3-2封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。 技术特点: 1. 600V额定电压,适用于各种需要中等电压的应用场景。 2. 60A额定电流,能够满足大电流应用的需求。 3. 187W额定功耗,适用
标题:Infineon品牌TLE94103EPXUMA1芯片:HALF BRIDGE DRVR 2A TSDSO-14的技术与应用介绍 一、简述技术 Infineon的TLE94103EPXUMA1芯片是一款具有创新性的HALF BRIDGE驱动器IC,它专为高速、高效率的电机驱动应用而设计。HALF BRIDGE驱动器是一种将交流电转换为直流电的电路,广泛应用于电动汽车、风力发电、电动工具等领域。TLE94103EPXUMA1芯片通过精确的电流控制和高效的功率转换,实现了高功率密度和高效率的
标题:Infineon(IR) IGZ75N65H5XKSA1功率半导体IGBT TRENCH 650V 119A TO247-4的技术和方案应用介绍 Infineon(IR)的IGZ75N65H5XKSA1是一款高性能的功率半导体IGBT,其技术特点和应用方案值得关注。该器件采用TRENCH 650V技术,具有119A的电流容量,适用于各种高功率应用场合。 首先,TRENCH 650V技术是Infineon(IR)的一大亮点。这种技术通过在硅片上开槽,改变了电流流动的方向,从而提高了电流密度
标题:Infineon品牌IKD04N60RATMA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3技术详解与方案介绍 一、技术概述 Infineon品牌的IKD04N60RATMA1半导体IGBT,采用TRENCH/FS技术,具有600V 8A的规格,以TO252-3封装形式呈现。这款器件具有高输入阻抗、低导通电阻和快速开关特性,使其在电力转换和调节系统中具有广泛应用。 二、技术特点 1. 极低的导通电阻,有效降低功耗,提高系统效率; 2. 快速开关特性,可在高频应用中表
Infineon英飞凌FP06R12W1T4B3BOMA1模块IGBT MODULE 1200V 0 94W参数及方案应用详解 随着科技的不断进步,电子设备对功率器件的需求越来越高。在众多功率器件中,IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块因其高效率、高功率密度和长寿命等特点,成为了现代电力电子领域的重要元件。今天,我们将详细介绍一款来自Infineon英飞凌的FP06R12W1T4B3BOMA1模块IGBT MODULE 1200V 0 94W,并探讨其参数及方案应用。 首先,我们来了解一下FP06
标题:Infineon(IR) IKWH50N65EH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。其中,Infineon(IR)的IKWH50N65EH7XKSA1功率半导体器件以其卓越的性能和稳定性,在工业14领域发挥着重要的作用。本文将围绕该器件的技术特点和方案应用进行详细介绍。 一、技术特点 Infineon(IR) IKWH50N65EH7XKSA1功率半导体器件采用了先进的沟槽技术,具有高耐压、大电流、高
标题:Infineon品牌IKQ40N120CT2XKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3的技术与方案介绍 一、产品概述 Infineon品牌IKQ40N120CT2XKSA1是一款高性能的半导体IGBT,采用TRENCH/FS结构,适用于各种高电压大电流应用场景。该器件具有1200V的额定电压,80A的额定电流,以及TO247-3的封装形式,具有高效率、低损耗、高可靠性的特点。 二、技术特点 1. 高压大电流设计,适用于各种高电压应用场景; 2. 快速
Infineon英飞凌FF1500R17IP5BPSA1模块IGBT MOD 1700V 1500A 20MW参数及方案应用详解 随着科技的不断进步,电子设备对功率半导体器件的需求越来越高。在此背景下,Infineon英飞凌的FF1500R17IP5BPSA1模块IGBT MOD,以其卓越的性能和稳定性,成为了业界关注的焦点。本文将详细介绍该模块的参数及方案应用。 首先,让我们了解一下FF1500R17IP5BPSA1模块的基本参数。该模块采用Infineon英飞凌的最新一代IGBT(绝缘栅双
标题:Infineon(IR) IKWH40N65EH7XKSA1功率半导体器件在工业14领域的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。Infineon(IR)公司推出的IKWH40N65EH7XKSA1功率半导体器件,以其出色的性能和卓越的耐用性,在工业14领域发挥着越来越重要的作用。 首先,我们来了解一下IKWH40N65EH7XKSA1功率半导体器件的技术特点。该器件采用先进的沟槽技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。同时,它还具有出色的温度稳